純度是靶材的主要性能指標(biāo)之一，因?yàn)殇啺胁牡募兌葘Ρ∧さ男阅苡绊懞艽蟆２贿^在實(shí)際應(yīng)用中，對靶材的純度要求也不盡相同。例如，隨著微電子行業(yè)的迅速發(fā)展，硅片尺寸由6”, 8“發(fā)展到12”, 而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對鋯靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。
雜質(zhì)含量
靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的鋯靶材對不同雜質(zhì)含量的要求也不同。例如，半導(dǎo)體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。
密度
為了減少靶材固體中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，通常要求靶材具有較高的密度。鋯靶材的密度不僅影響濺射速率，還影響著薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高靶材的密度和強(qiáng)度使靶材能更好地承受濺射過程中的熱應(yīng)力。密度也是靶材的關(guān)鍵性能指標(biāo)之一。
晶粒尺寸及晶粒尺寸分布
通常靶材為多晶結(jié)構(gòu)，晶粒大小可由微米到毫米量級。對于同一種鋯靶材，晶粒細(xì)小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快；而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。
鈦靶材/鎳靶材/鋯靶材/鈦鋁靶材等
